- CL-PCDH系列加壓降壓型晶體驅動器
- CL-PCDS系列加壓降壓型晶體驅動器
- CL-PCDH-1M系列加壓降壓型晶體驅動器：主要應用于調Q光路、脈沖選擇光路、腔倒空電路；
- CL-PCDX系列加壓降壓型晶體驅動器
- CL-OEM-HV-80高壓電源
- CL-OEM-HV-120高壓電源
- CL-PCD-HV系列高壓電源：具備高壓電壓的顯示與調節、高壓電源的單獨開關、同時給普克爾盒驅動供電；
- CL-PACK-PCDH系列一體式晶體驅動器模塊
- CL-SC300系列普克爾盒驅動信號控制器
BBO晶體，又稱為偏硼酸鋇晶體，化學式為BaB2O4，是一種綜合性能優良的電光晶體和非線性晶體。在Nd:YAG激光器的三次、四次和五次諧波（分別為355nm、266nm和213nm)、Ti:Sapphire放大器的二次和三次諧波（400nm和266.7nm)等相關領域具有廣泛的應用。BBO電光晶體有著極寬的透光范圍，極低的吸收系數，較弱的壓電振鈴效應，相對于其他的電光調制晶體，具有更高的消光比，較大的相位匹配角，較高的抗光損傷閾值、寬帶的溫度匹配以及優良的光學均勻性，有利于提高激光輸出功率穩定性，特別是在Nd:YAG激光器之三倍頻有著廣泛的應用。同時還可以應用于OPO配置、光學參量振蕩器以及從近紅外到深紫外的電光應用。
特點
- 良好的物理性能；
- 適當的機械性能；
- 溫度帶寬約55℃；
- 光學均勻性高
- 透射范圍從190 nm到3500nm；
- 相位匹配范圍從6 nm到3500nm；
- 有效SHG（二次諧波產生）系數大；
- 1064 nm處10 J/cm2的100 ps脈沖損壞閾值
BBO（BaB2O4）普克爾盒，又稱為硼酸鋇普克爾盒，是一種綜合性能比較優秀的普克爾盒器件。BBO普克爾盒具有具有高損傷閾值、低插入損耗、高消光比、最小的壓電振鈴和有競爭力的價格等優勢，BBO 普克爾斯盒在激光功率處理能力、溫度穩定性和基本上不受壓電振鈴影響方面表現出優于其他材料的顯著優勢。BBO普克爾盒是高重復率 Q 開關、高達 3 MHz 的脈沖拾取、激光腔傾倒、再生放大器控制和光束斬波器的最有吸引力的候選者。在高重復率和高功率應用領域，BBO 普克爾盒是比 KDP 普克爾盒更好的選擇。由于 BBO 的低壓電耦合系數，可以產生重復頻率為數百千赫茲的脈沖。
特點
- 高重復率和抗損傷性
- 低吸收和噪音
- 高紫外線透過率
- 提供雙晶設計的普克爾盒
DKDP（磷酸二氘鉀，KD?PO?）普克爾盒，也稱KD*P普克爾盒，是一種綜合性能優異的電光調制器件。該器件具有光學損耗低、消光比高、電光性能優良、環境耐受性好等特點，廣泛應用于電光調Q開關、高速攝像開關、軍事及航空激光系統、染料激光器800nm波段二倍頻、三倍頻，以及1064nm激光的二倍頻、三倍頻、四倍頻等領域。
由于DKDP晶體本身具有易潮解和機械性能相對較弱的特點，在使用時需特別注意環境控制：
- 工作溫度范圍：10?℃–50?℃，且溫度波動應控制在每20分鐘不超過5?℃；
- 環境濕度：建議長期低于40%，推薦配合濕度控制裝置（如干燥器皿或干燥劑）使用；
- 儲存要求：不使用時，請置于干燥箱內保存，以防潮解。
特點
- 緊湊設計;
- 便于調節;
- 無靜態雙折射;
- 無光折射損害;
- 高抗光損傷閾值;
- 優越的電光系數;
- 對環境的耐受性好;
- 密閉好，無粘合劑;
- DKDP晶體的含氘量高（>99.0%）
特點
- 損耗低
- 高電光系數
- 透明度范圍寬
- 低波前失真
- 高溫穩定性
- 穩定的機械和化學性能
特點
- 高電阻率；
- 高消光比；
- 低半波電壓；
- 高抗光損傷閾值；
- 使用溫度－50~70 ℃，無需溫控；
- 適用于高頻操作，最高開關頻率可達1 MHz；
- 適用波長：450 nm – 3 μm，器件消光比 >23 dB；
- 動態、靜態半波電壓基本一致，易于安裝和調節；
- 晶體損傷閾值達1 GW/cm2 @ 1064 nm, 10 ns脈寬；
- 晶體內部質量好，光學吸收低，雙晶體的總體透光率>5%；
- 在高頻工作時，極低的振鈴效應，遠遠低于BBO電光Q的振鈴效應；
- 晶體不潮解，介電常數低，優良的電學穩定性，可長期承受外加電壓；
- 小巧的外形和較低的操作電壓，使其更適于新型的光纖與碟片激光器應用；
- 雙晶體總的電容量很小，5 mm長晶體的總電容量為2-3 pF或10 mm長晶體的總電容量為3-4 pF，可實現脈沖上升/下降時間：5-5 ns；
特點
- 易潮解；
- 損傷閾值高；
- 高占空比運行；
- 較高的半波電壓；
- 極低的壓電共振；
- 標準通光孔徑：4×4、6×6和8×8 mm；
- 相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小兩倍；
特點：
- 不潮解
- 體積小
- 高電阻率
- 高消光比
- 無壓電效應
- 透明范圍廣
- 高損傷閾值
- 高溫穩定性
- 低半波電壓
- 適用于高頻操作
- 穩定的機械和化學性能
- 較大的非線性光學和電光系數
特點:
- 高損傷閾值
- 室溫下的非臨界相位匹配(NCPM)
- 廣泛的透明度范圍
- 優異的EO 和NLO 性能
- 良好的機械和化學性能
特點:
- 可透光波段范圍寬(160—2600nm)
- 光學均勻性好，內部包絡少
- 倍頻轉換效率較高(相當于KDP晶體的3倍)
- 高損傷域值(1.3ns脈寬的1053nm激光可10Gw/cm2)
- 接收角度寬，離散角度小
- I,II類非臨界相位匹配(NCPM)的波段范圍寬
- 光譜非臨界相位匹配(NCPM）接近